Z czym kojarzymy Etnę? Oczywiście z czynnym stratowulkanem na wschodnim wybrzeżu Sycylii. Tymczasem celem projektu włosko-polskiego ETNA (Energy Efficiency Through Novel AlGaN/GaN heterostructures) było opracowanie i zbadanie nowych procesów umożliwiających uzyskanie wysokiej wydajności energetycznej urządzeń elektronicznych opartych na azotku galu (GaN). W szczególności, działalność badawcza koncentrowała się na kluczowych technologiach, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), urządzenia pionowe oparte na GaN oraz zaawansowane tranzystory integrujące grafen z azotkami.
Jak podkreśla dr Fabrizio Roccaforte (CNR-IMM), "wprowadzenie nowych koncepcji urządzeń opartych na materiałach azotkowych w elektronice mocy i wysokiej częstotliwości, a także w optoelektronice i oświetleniu półprzewodnikowym, jest jedną z głównych dróg do globalnego zmniejszenia zużycia energii".
"Nasza współpraca jeszcze w 2010 roku - kontynuuje prof. Mike Leszczynski (Unipress-PAS) - najpierw z europejskim projektem Last Power, a następnie z projektem FlagEra - GraNitE. W międzyczasie interakcja między dwoma instytutami była wspierana przez umowę CNR-PAN, w ramach dwustronnego projektu ETNA".
W ramach tej współpracy, dużą uwagę zwrócono na szkolenie młodych doktorantów i naukowców Post-Doc, poprzez intensywną wymianę wizyt zakończoną wzajemnym transferem wiedzy.
Tak długa współpraca zaowocowała publikacją kilku prac w międzynarodowych czasopismach, a także wydaniem przez Wiley w 2020 r. książki "Nitride Semiconductor Technology".